HY62256BLJ-70详情
Hynix HY62256BLJ-70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SOP, SOP28,.5
Package Style
小概要
Part Package Code
SOIC
Risk Rank
8.58
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
SK Hynix Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
32768 words
Manufacturer Part Number
HY62256BLJ-70
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
70 ns
Package Equivalence Code
SOP28,.5
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
32000
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
BATTERY BACKUP
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.794 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
长度
18.39 mm
宽度
8.69 mm
达到SVHC
unknown
HY62256BLJ-70拓展信息








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