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技术文档
型号
HY62WT08081E-DG70C
品牌
Hynix
utmel 编号
2287-HY62WT08081E-DG70C
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
HY62WT08081E-DG70C datasheet pdf and Unclassified product details from Hynix stock available at utmel
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HY62WT08081E-DG70C详情
技术参数
Hynix HY62WT08081E-DG70C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
28
Package Description
SOP, SOP28,.47
Package Style
小概要
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP28,.47
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SK Hynix Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Risk Rank
5.82
Part Package Code
SOIC
ECCN 代码
EAR99
附加功能
IT ALSO OPERATES FROM 4.5 TO 5.5V
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
端口的数量
1, (NON-MUXED)
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.794 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SRAM STD
待机电压-最小值
2 V
输出启用
负电源电压
-888 V
反向引脚排列
NO
宽度
8.69 mm
长度
18.39 mm
HY62WT08081E-DG70C拓展信息
公司资质
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