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技术文档
型号
HYMP112S64CP6-S6
品牌
Hynix
utmel 编号
2287-HYMP112S64CP6-S6
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
起订量
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HYMP112S64CP6-S6详情
技术参数
Hynix HYMP112S64CP6-S6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
200
Package Description
DIMM, DIMM200,24
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIMM200,24
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
0.4 ns
Operating Temperature-Max
65 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
SK Hynix Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SK HYNIX INC
Risk Rank
5.81
Part Package Code
SODIMM
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.6 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-XZMA-N200
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128MX64
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.8 mm
内存宽度
64
记忆密度
8589934592 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
宽度
30 mm
长度
67.6 mm
达到SVHC
unknown
HYMP112S64CP6-S6拓展信息
公司资质
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