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技术文档
型号
UP9972G-TA3-T
品牌
IDEC
utmel 编号
1178-UP9972G-TA3-T
商品类别
无类别的
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
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UP9972G-TA3-T详情
技术参数
IDEC UP9972G-TA3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
8-SOIC
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Memory Types
Non-Volatile
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.72
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
60 A
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
SpiFlash®
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
ECCN 代码
EAR99
技术
FLASH - NOR
电压 - 供电
2.3 V ~ 3.6 V
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
内存大小
4Mb (512K x 8)
操作模式
增强型MOSFET
时钟频率
104MHz
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
晶体管应用
SWITCHING
写入周期时间 - 字符、页面
800µs
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.018 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
230 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
UP9972G-TA3-T拓展信息
公司资质
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