71342SA55JI8详情
IDT 71342SA55JI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
表面贴装
包装/外壳
52-LCC (J-Lead)
供应商器件包装
52-PLCC (19.13x19.13)
Schedule B
8542390000, 8542390000/8542390000, 8542390000/8542390000/8542390000, 8542390000/8542390000/8542390000/8542390000
Voltage-Output 1
12 V
RoHS
Compliant
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
最高工作温度
105 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
10 W
技术
SRAM - Dual Port, Asynchronous
电压 - 供电
4.5 V ~ 5.5 V
输出的数量
1
效率
86 %
最大输出电流
835 mA
内存大小
32Kb (4K x 8)
访问时间
55ns
最小输入电压
18 V
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
最大输入电压
75 V
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
隔离电压
1.5 kV
特征
OCP, OVP, SCP, UVLO
无铅
无铅
71342SA55JI8拓展信息
IDT
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