IDT IDT7014S15JG

底架

通孔

触点镀层

Lead, Tin

表面安装

YES

终端数量

52

RoHS

Non-Compliant

Package Description

QCCJ, LDCC52,.8SQ

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

4000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC52,.8SQ

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

15 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT7014S15JG

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.37

Part Package Code

LCC

包装

Tape & Reel

容差

2 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

51 Ω

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

军用标准

MIL-PRF-39017

引脚数量

52

JESD-30代码

S-PQCC-J52

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.25 mA

组织结构

4KX9

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.57 mm

内存宽度

9

记忆密度

36864 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

直径

1.68 mm

长度

4.75 mm

宽度

19.1262 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant