IDT IDT7130SA55JB

表面安装

YES

终端数量

52

Package Description

QCCJ, LDCC52,.8SQ

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC52,.8SQ

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7130SA55JB

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.07

Part Package Code

LCC

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

52

JESD-30代码

S-PQCC-J52

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.19 mA

组织结构

1KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.57 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

8192 bit

筛选水平

MIL-PRF-38535

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

宽度

19.1262 mm

长度

19.1262 mm