Infineon 042N03LSG

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

4-SIP, KBJL

表面安装

YES

供应商器件包装

KBJL

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

KBJL402

厂商

Micro Commercial Co

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC042N03LSGATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

0.84

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

技术

Standard

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

二极管类型

单相

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 200 V

操作模式

增强型MOSFET

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 2 A

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

平均整流电流（Io）

4 A

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0065 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

372 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压 - 峰值反向（最大值）

200 V