Infineon 04N6

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

37 A

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Manufacturer

安森美半导体

Manufacturer Package Code

340CK

Manufacturer Part Number

FCH104N60F

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Part Life Cycle Code

活跃

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

1.55

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

37 A

漏极-源极导通最大电阻

0.104 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

111 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

809 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

357 W