Infineon 04N60C3.

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Manufacturer Part Number

SPD04N60C3

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

活跃

Part Package Code

TO-252AA

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

7.07

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

TIN

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.95 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13.5 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W