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技术文档
型号
070N10NS3
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-070N10NS3
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
070N10NS3 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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070N10NS3详情
技术参数
PDF文档
Infineon 070N10NS3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
26 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
SGE-1510
厂商
欧姆龙自动化与安全
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSC070N10NS3GATMA1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
BSC070N10NS3GATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V OptiMOS 3, 8-Pin TDSON Infineon
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.63
Drain Current-Max (ID)
90 A
系列
*
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.007 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
360 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
160 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon 070N10NS3.
070N10NS3拓展信息
公司资质
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