Infineon 088N03M

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bag

Base Product Number

DL66R

厂商

TE Connectivity Deutsch 连接器

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSZ088N03MSGATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

0.85

Drain Current-Max (ID)

40 A

系列

*

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0097 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR