Infineon 097N04L

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSZ097N04LSGATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.65

Drain Current-Max (ID)

12 A

容差

0.25 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

316 kΩ

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

逻辑电平兼容

额定功率

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0142 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

高度

650 µm

达到SVHC

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