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技术文档
型号
2N120
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-2N120
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IGBT 1200V 6.2A 3.6V TO252-3
起订量
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2N120详情
技术参数
PDF文档
Infineon 2N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
7 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Texas
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
Texas INC
Risk Rank
5.85
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.025 A
最小直流增益(hFE)
76
技术文档: Infineon 2N120.
2N120拓展信息
公司资质
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