2N6766详情
Infineon 2N6766重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N6766
Package Shape
ROUND
Manufacturer
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMELAB LTD
Risk Rank
5.07
Drain Current-Max (ID)
30 A
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-3
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2N6766拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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