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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥130.936681
10
¥123.525171
100
¥116.53318
500
¥109.936962
1000
¥103.714115
2N6847详情
Infineon 2N6847重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
2N6847
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.38
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
参考标准
MILITARY STANDARD (USA)
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.5 A
漏极-源极导通最大电阻
1.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
2N6847拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







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