Infineon 2N6849

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Risk Rank

5.24

Drain Current-Max (ID)

6.5 A

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

2N6849

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

METAL

Package Style

CYLINDRICAL

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

92 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

达到SVHC

unknown