Infineon AUIRF7665S2TR1

表面安装

YES

引脚数

2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AUIRF7665S2TR1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.32

Drain Current-Max (ID)

4.1 A

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-XBCC-N2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

77 A

漏极-源极导通最大电阻

0.062 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

37 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

30 W

达到SVHC

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