Infineon AUIRF7736M2TR1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-TBGA

表面安装

YES

引脚数

5

供应商器件包装

165-CABGA (13x15)

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Memory Types

Volatile

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-5

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AUIRF7736M2TR1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.37

Drain Current-Max (ID)

22 A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

--

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

技术

SRAM - Synchronous ZBT

电压 - 供电

3.135 V ~ 3.465 V

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

IDT71V3556

JESD-30代码

R-XBCC-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

内存大小

4.5Mb (128K x 36)

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

时钟频率

133MHz

访问时间

4.2ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

晶体管应用

SWITCHING

写入周期时间 - 字符、页面

--

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

179 A

漏极-源极导通最大电阻

0.003 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

432 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

286 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

63 W

达到SVHC

compliant