Infineon AUIRF7739L2TR1

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

9

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

56 ns

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-9

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Drain Current-Max (ID)

46 A

Risk Rank

5.36

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

International Rectifier

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

AUIRF7739L2TR1

包装

切割胶带

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

电阻

1 MΩ

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

125 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-XBCC-N9

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

71 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

46 A

阈值电压

2.8 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

375 A

漏极-源极导通最大电阻

0.001 Ω

漏源击穿电压

40 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1070 A

输入电容

11.88 nF

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

160 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

漏源电阻

1 mΩ

最大rds

1 mΩ

栅源电压

2.8 V

宽度

7.1 mm

高度

558.8 µm

长度

9.144 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅