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技术文档
型号
BAS79B
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BAS79B
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Rectifier Diode, 2 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, VPS05163, 4 PIN
起订量
1最小包装量--
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BAS79B详情
技术参数
PDF文档
Infineon BAS79B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package Description
R-PSSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
25 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Power Dissipation (Max)
1.2 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Forward Voltage-Max (VF)
2 V
Risk Rank
5.52
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
资历状况
不合格
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
1 A
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
反向电流-最大值
1 µA
反向恢复时间-最大值
1 µs
技术文档: Infineon BAS79B.
BAS79B拓展信息
公司资质
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