Infineon BAT62

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

Forward voltage reference

2mA

Enclosure

SOT 143 4

Manuf. code

INF

Configuration (diode)

Array - 2 x 2

Max. operating temperature

+150°C

Packaging type

胶带切割

Casing

SOT 143

Reverse leakage current I(r) reference

40V

Reverse voltage U(R)

40V

Content

1pc(s)

Manufacturer

Infineon Technologies

Forward voltage U(F)

1V

Forward current I(F)

20mA

Reverse leakage current I(r)

10µA

Package Description

R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Operating Frequency (Max)

1 GHz

Manufacturer Part Number

BAT62

Power Dissipation (Max)

0.1 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

7.95

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

BAT 62

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.60

子类别

其他二极管

技术

SCHOTTKY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

二极管类型

混频器芯片

箱体转运

ANODE

二极管电容-最大值

0.6 pF

肖特基势垒类型

低阻