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技术文档
型号
BB804-SF2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BB804-SF2
商品类别
无类别的
封装
TO-220-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Variable Capacitance Diode, 18V, Silicon
起订量
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BB804-SF2详情
技术参数
PDF文档
Infineon BB804-SF2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
TO-220
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A (Ta), 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 267W (Tc)
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.06
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
--
包装
Tube
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.80
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
资历状况
不合格
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
可变电容二极管
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7 mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3430pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
击穿电压-最小值
18 V
二极管电容比-最小值
1.65
技术文档: Infineon BB804-SF2.
BB804-SF2拓展信息
公司资质
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