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Infineon BC846BW

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对比

型号

BC846BW

品牌

utmel 编号

1211-BC846BW

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

起订量

1最小包装量--

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BC846BW

BC846BW Infineon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BC846BW详情

技术参数

Infineon BC846BW重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

65 V
hFEMin

200
RoHS

Compliant
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style

小概要
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz
Manufacturer Part Number

BC846BW
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Diotec Semiconductor AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank

1.19
终端

SMD/SMT
ECCN 代码

EAR99
子类别

其他晶体管
最大功率耗散

330 mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PDSO-G3
资历状况

不合格
极性

NPN
配置

SINGLE
功率耗散

330 mW
极性/通道类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

650 mV
最大集电极电流

100 mA
集电极电流-最大值(IC)

0.1 A
最小直流增益（hFE）

200
集电极-发射器电压-最大值

65 V
达到SVHC

无SVHC

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BC846BW拓展信息

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