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BCP69E6327
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注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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Infineon BCP69E6327

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  • 对比

型号

BCP69E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BCP69E6327

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BCP69E6327
BCP69E6327 Infineon Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BCP69E6327详情

技术参数

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Infineon BCP69E6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Transistor Polarity

    PNP

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BCP69E6327

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Siemens

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Risk Rank

    7.2

  • 系列

    -

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 转换频率

    100

  • 集电极电流-最大值(IC)

    1 A

  • 最小直流增益（hFE）

    85

  • 连续集电极电流

    1

  • 集电极-发射器电压-最大值

    20 V

0个相似型号

技术文档: Infineon BCP69E6327.

BCP69E6327拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS