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技术文档
型号
BCP69E6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BCP69E6327
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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BCP69E6327详情
技术参数
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Infineon BCP69E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Transistor Polarity
PNP
Package
Bulk
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
7.2
系列
-
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G3
资历状况
不合格
配置
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
转换频率
100
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
85
连续集电极电流
集电极-发射器电压-最大值
20 V
技术文档: Infineon BCP69E6327.
BCP69E6327拓展信息
公司资质
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