BCR 133
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Infineon BCR 133

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型号

BCR 133

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BCR 133

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrete, bias voltage BCR133 TO 236 3 No. of channels 1 NPN - biased Tape cut

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BCR 133
BCR 133 Infineon Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrete, bias voltage BCR133 TO 236 3 No. of channels 1 NPN - biased Tape cut

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BCR 133详情

Infineon BCR 133重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Enclosure

    TO 236 3

  • Manuf. code

    INF

  • Packaging type

    胶带切割

  • Channels#

    1

  • Content

    1pc(s)

  • Power (max) P(TOT)

    200mW

  • Manufacturer

    Infineon Technologies

  • Collector current

    100mA

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    130 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BCR133

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Risk Rank

    5.3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NPN

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    30

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • VCEsat-最大值

    0.3 V

  • 环境耗散-最大值

    0.2 W

0个相似型号

BCR 133拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS