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技术文档
型号
BCR 133
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BCR 133
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrete, bias voltage BCR133 TO 236 3 No. of channels 1 NPN - biased Tape cut
起订量
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BCR 133详情
技术参数
Infineon BCR 133重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Enclosure
TO 236 3
Manuf. code
INF
Packaging type
胶带切割
Channels#
1
Content
1pc(s)
Power (max) P(TOT)
200mW
Manufacturer
Infineon Technologies
Collector current
100mA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
130 MHz
Manufacturer Part Number
BCR133
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.3
ECCN 代码
EAR99
类型
NPN
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.3 V
环境耗散-最大值
0.2 W
BCR 133拓展信息
公司资质
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