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技术文档
型号
BCR135
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BCR135
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discrete, bias voltage BCR135 TO 236 3 No. of channels 1 NPN - biased Tape cut
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BCR135详情
技术参数
PDF文档
Infineon BCR135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Enclosure
TO 236 3
Manuf. code
INF
Packaging type
胶带切割
Channels#
1
Content
1pc(s)
Power (max) P(TOT)
200mW
Manufacturer
Infineon Technologies
Collector current
100mA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Samacsys Description
Infineon, BCR135 NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 10 ku03a9, Ratio Of 0.21, 3-Pin SOT-23
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
6.56
Part Package Code
SOT-23
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
类型
NPN
性别
Female
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
触点样式
Socket
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
70
集电极-发射器电压-最大值
50 V
技术文档: Infineon BCR135.
BCR135拓展信息
公司资质
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