Infineon BCR185WE6327

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-SOT323-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

BCR185WE6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.43

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

250 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

200 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

70

电阻基(R1)

10 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

47 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V