Infineon IKP03N120H2

工厂交货时间

1 Week

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.8 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

9.6 A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Test Conditions

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

16.1 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

403 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IKP03N120H2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.25

Part Package Code

TO-220AB

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

62.5 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

功率耗散

62.5 W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

62.5 W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

9.6 A

反向恢复时间

42 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

62.5 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 3A

集电极电流-最大值(IC)

9.6 A

IGBT类型

-

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

22 nC

集极脉冲电流（Icm）

9.9 A

Td（开/关）@25°C

9.2ns/281ns

开关能量

290µJ

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

3.9 V

反向恢复时间(trr)

42 ns

达到SVHC

无SVHC