BDP951 E6327
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Infineon BDP951 E6327

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型号

BDP951 E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BDP951 E6327

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

3000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

起订量

1最小包装量--

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BDP951 E6327
BDP951 E6327 Infineon 3000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BDP951 E6327详情

Infineon BDP951 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Square, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    蓝色阳极氧化

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BDP951-E6327

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    8.5

  • 系列

    pushPIN™

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    顶部安装

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 附着方法

    推销

  • 离底高度(鳍的高度)

    0.394 (10.00mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    7.42°C/W @ 100 LFM

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 集电极电流-最大值(IC)

    3 A

  • 最小直流增益(hFE)

    15

  • 集电极-发射器电压-最大值

    80 V

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 宽度

    2.756 (70.00mm)

  • 长度

    2.756 (70.00mm)

  • 直径

    --

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BDP951 E6327拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS