Infineon BF1005E6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

8 V

Voltage Rating (DC)

8 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BF1005E6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.23

Drain Current-Max (ID)

0.025 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低噪音

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

25 mA

频率

800 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE

功率耗散

200 mW

箱体转运

SOURCE

漏源电压 (Vdss)

8 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

25 mA

栅极至源极电压(Vgs)

13 V

增益

19 dB

漏源击穿电压

8 V

输入电容

2.5 pF

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

噪声图

1.6 dB

最高频段

超高频段

测试电压

5 V

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

长度

2.9 mm

无铅

无铅