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技术文档
型号
BG5412K-E6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BG5412K-E6327
商品类别
无类别的
封装
DO-221AC, SlimSMA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Mosfet N-ch Dual 8V 25MA SOT-363
起订量
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BG5412K-E6327详情
技术参数
PDF文档
Infineon BG5412K-E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-221AC (SlimSMA)
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Formosa Microsemi Co., Ltd.
Product Status
活跃
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.84
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
-
子类别
FET 通用电源
配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
电源线保护
无
电压 - 击穿
86.7V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
4.7A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
126V
电压 - 反向断态(典型值)
78V
单向通道
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.025 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
达到SVHC
unknown
技术文档: Infineon BG5412K-E6327.
BG5412K-E6327拓展信息
公司资质
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