BG5412K-E6327
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Infineon BG5412K-E6327

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型号

BG5412K-E6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BG5412K-E6327

商品类别

无类别的

封装

DO-221AC, SlimSMA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet N-ch Dual 8V 25MA SOT-363

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BG5412K-E6327
BG5412K-E6327 Infineon Mosfet N-ch Dual 8V 25MA SOT-363

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BG5412K-E6327详情

Infineon BG5412K-E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-221AC, SlimSMA

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    DO-221AC (SlimSMA)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Formosa Microsemi Co., Ltd.

  • Product Status

    活跃

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    BG5412K-E6327

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.84

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C

  • 系列

    -

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 电源线保护

    无

  • 电压 - 击穿

    86.7V

  • 功率 - 脉冲峰值

    600W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    4.7A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    126V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    78V

  • 单向通道

    1

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.025 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.2 W

  • 达到SVHC

    unknown

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技术文档: Infineon BG5412K-E6327.

BG5412K-E6327拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS