BG5412K H6327
BG5412K H6327

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon BG5412K H6327

  • 收藏
  • 对比

型号

BG5412K H6327

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BG5412K H6327

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet N-ch Dual 8V 25MA SOT363

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BG5412K H6327
BG5412K H6327 Infineon Mosfet N-ch Dual 8V 25MA SOT363

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BG5412K H6327详情

Infineon BG5412K H6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 质量

    120.003531 mg

  • Voltage, Rating

    200 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Bulk

  • 容差

    1 %

  • 终止次数

    2

  • 终端

    Axial

  • 温度系数

    150 ppm/°C

  • 电阻

    4.02 MΩ

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 额定功率

    250 mW

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • 铅直径

    410 µm

  • 特征

    Flame Retardant Coating, Moisture Resistant

  • 宽度

    1.65 mm

  • 长度

    3.81 mm

  • 直径

    1.65 mm

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Infineon BG5412K H6327.

BG5412K H6327拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS