注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
BG5412K H6327
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BG5412K H6327
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Mosfet N-ch Dual 8V 25MA SOT363
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BG5412K H6327详情
技术参数
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Infineon BG5412K H6327重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
底架
通孔
质量
120.003531 mg
Voltage, Rating
200 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
容差
1 %
终止次数
2
终端
Axial
温度系数
150 ppm/°C
电阻
4.02 MΩ
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Metal Film
额定功率
250 mW
最大功率耗散
铅直径
410 µm
特征
Flame Retardant Coating, Moisture Resistant
宽度
1.65 mm
长度
3.81 mm
直径
无铅
技术文档: Infineon BG5412K H6327.
BG5412K H6327拓展信息
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