Infineon BSB008NE2LXXT

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

2

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

75 ns

Package Description

CHIP CARRIER, R-MBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSB008NE2LXXT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

180 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

超低电阻

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-MBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

47.2 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

180 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0008 Ω

漏源击穿电压

25 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

89 W

漏源电阻

800 mΩ

达到SVHC

compliant