Infineon BSB014N04LX3GXT

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

CHIP CARRIER, R-MBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSB014N04LX3GXT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

180 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-MBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8.4 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

36 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0014 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

89 W

达到SVHC

compliant