Infineon BSC018NE2LSI

包装/外壳

TDSON-8

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25 V

Typical Turn-On Delay Time

5.2 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.2 V

Pd - Power Dissipation

69 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.004176 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

65 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSC18NE2LSIXT SP000906030 BSC018NE2LSIATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

48 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

1.5 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

24 ns

Id - Continuous Drain Current

100 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC018NE2LSI

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.64

Drain Current-Max (ID)

29 A

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

4.8 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0024 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

69 W

产品类别

MOSFET

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm