Infineon BSC019N02KSG

安装类型

Panel Mount, Through Hole

包装/外壳

TDSON-8

表面安装

YES

越来越多的功能

Flange

外壳材料

不锈钢

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package

零售包装

Primary Material

Metal

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Contact Materials

Copper Alloy

Contact Finish Mating

Gold

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20 V

Moisture Sensitive

有

Typical Turn-On Delay Time

15 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.2 V

Pd - Power Dissipation

2.8 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 12 V, + 12 V

Unit Weight

0.004047 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000307376 BSC19N2KSGXT BSC019N02KSGAUMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

64 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

1.95 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

95 ns

Id - Continuous Drain Current

30 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC019N02KSG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

806

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Receptacle, Female Sockets

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

颜色

Silver

附加功能

雪崩 额定

紧固类型

Threaded

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

方向

B

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

外壳完成

Passivated

引脚数量

8

外壳尺寸-插入

36-21

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

187 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.003 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

104 W

特征

Ground

产品类别

MOSFET

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm

达到SVHC

compliant