BSC019N02KSGXT/SAMPLE
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Infineon BSC019N02KSGXT/SAMPLE

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型号

BSC019N02KSGXT/SAMPLE

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSC019N02KSGXT/SAMPLE

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP

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BSC019N02KSGXT/SAMPLE
BSC019N02KSGXT/SAMPLE Infineon Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP

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BSC019N02KSGXT/SAMPLE详情

Infineon BSC019N02KSGXT/SAMPLE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    26 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Continuous Drain Current Id

    30

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    BSC019N02KSGXT/SAMPLE

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.69

  • Drain Current-Max (ID)

    30 A

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.003 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 信道型

    N

  • 雪崩能量等级(Eas)

    800 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

技术文档: Infineon BSC019N02KSGXT/SAMPLE.

BSC019N02KSGXT/SAMPLE拓展信息

IRFR6215TRPBF
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IRFR5505TRPBF
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IRLL014NTRPBF
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Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF
IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

IRFP260NPBF
IRFP260NPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRPBF
IRFR9024NTRPBF

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IRLR2905TRPBF
IRLR2905TRPBF

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IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NTRPBF

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IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF

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IRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

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