Infineon BSC020N03LSGXT

包装/外壳

TDSON-8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

11 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

96 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

65 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSC020N03LS G SP000237662 BSC020N03LSGATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

93 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

1.7 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

42 ns

Id - Continuous Drain Current

100 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC020N03LSGXT

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.67

Drain Current-Max (ID)

28 A

包装

Reel

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

7 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

0.0029 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

180 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm