Infineon BSC020N03MS G

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TDSON-8

表面安装

YES

材料

Aluminum

形状

Rectangular, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

27 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

96 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.003880 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

60 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

BSC2N3MSGXT SP000311503 BSC020N03MSGATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

60 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

1.7 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

36 ns

Id - Continuous Drain Current

25 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Drain Current-Max (ID)

25 A

Risk Rank

2.2

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BSC020N03MSG

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

系列

pushPIN™

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

顶部安装

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.500 (12.70mm)

强制空气流动时的热阻

27.08°C/W @ 100 LFM

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0025 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

96 W

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

产品类别

MOSFET

宽度

1.575 (40.00mm)

长度

2.126 (54.01mm)

直径

--

高度

1.27 mm