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技术文档
型号
BSC028N03LSCG
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSC028N03LSCG
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-KANAL POWER MOS
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BSC028N03LSCG详情
技术参数
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Infineon BSC028N03LSCG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
24 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
1.378 (35.00mm)
强制空气流动时的热阻
2.43°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0042 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
75 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
温度上升时的耗散功率
宽度
1.772 (45.00mm)
长度
直径
技术文档: Infineon BSC028N03LSCG.
BSC028N03LSCG拓展信息
公司资质
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