Infineon BSC043N03MSCGATMA1

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

75 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BSC043N03MSCGATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

17 A

包装

卷带

容差

0.1 %

终端

Wraparound

ECCN 代码

EAR99

温度系数

25 ppm/°C

电阻

3.32 kΩ

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

100 mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

深度

850 µm

军用标准

Not

JESD-30代码

R-PDSO-F8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0056 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

348 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

35 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

宽度

850 µm

高度

550 µm

长度

1.55 mm

达到SVHC

compliant

无铅

无铅