Infineon BSC052N03S

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

23 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

BSC052N03S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

18 A

包装

Tape & Reel

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-PDSO-N8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5.9 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

5 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

18 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0082 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

168 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

54 W

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant