BSC059N03S详情
Infineon BSC059N03S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, TDSON-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BSC059N03S
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
8.17
Drain Current-Max (ID)
50 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0086 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
48 W
BSC059N03S拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies








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