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技术文档
型号
BSC100N06LS3GXT
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-BSC100N06LS3GXT
商品类别
无类别的
封装
Radial, Can
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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BSC100N06LS3GXT详情
技术参数
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Infineon BSC100N06LS3GXT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
表面贴装的焊盘尺寸
--
Lead Free Status / RoHS Status
Voltage Rated
4V
Lifetime @ Temp.
2000 Hrs @ 105°C
RoHS
Non-Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
12 A
操作温度
-55°C ~ 105°C
系列
ULR
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.315 Dia (8.00mm)
容差
±20%
无铅代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
EAR99
类型
Polymer
应用
Decoupling
电容量
820µF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
200 mOhm
引线间距
0.138 (3.50mm)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
纹波电流@低频
305mA @ 120Hz
操作模式
增强型MOSFET
纹波电流@高频
6.1A @ 100kHz
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.01 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
22 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.512 (13.00mm)
评级结果
技术文档: Infineon BSC100N06LS3GXT.
BSC100N06LS3GXT拓展信息
公司资质
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