Infineon BSC119N03MSCG

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-TDSON-8

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

厂商

Infineon Technologies

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta), 39A (Tc)

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

BSC119N03MSCG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

11 A

系列

OptiMOS™3

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.9mOhm @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0119 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

156 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

10 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

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