Infineon BSC152N10NSFG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

PG-TDSON-8

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

9.4

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A (Ta), 63A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

114W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 72µA

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC152N10NSFG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.79

Drain Current-Max (ID)

9.4 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™2

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.2mOhm @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

63 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0152 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

252 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

155 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

114 W

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown